Infineon Technologies IPP04CN10NGXKSA1

底架

通孔

包装/外壳

TO-220

引脚数

3

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

76 ns

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

300W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

接通延迟时间

34 ns

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

无卤素

上升时间

78ns

漏源电压 (Vdss)

100V

极性/通道类型

N-CHANNEL

下降时间（典型值）

25 ns

连续放电电流(ID)

100A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

100V

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

输入电容

13.8nF

雪崩能量等级（Eas）

1000 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

3.9mOhm

最大rds

4.2 mΩ

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅