Infineon Technologies IPS65R1K5CEAKMA1

工厂交货时间

6 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Stub Leads, IPak

质量

343.085929mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.1A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

28W Tc

Turn Off Delay Time

33 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™ CE

已出版

2008

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSIP-T3

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

7.7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.5 Ω @ 1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 100μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

225pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10.5nC @ 10V

上升时间

5.9ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

18.2 ns

连续放电电流(ID)

3.1A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

650V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

8.3A

雪崩能量等级（Eas）

26 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅