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IR2102SPBF
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Infineon Technologies IR2102SPBF

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型号

IR2102SPBF

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-IR2102SPBF

商品类别

PMIC - 栅极驱动器

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

起订量

--最小包装量--

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IR2102SPBF
IR2102SPBF Infineon Technologies IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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IR2102SPBF详情

技术参数

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型号对比

Infineon Technologies IR2102SPBF重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 引脚数

    8

  • Driver Configuration

    Half-Bridge

  • Logic voltage-VIL, VIH

    0.8V 3V

  • Turn Off Delay Time

    150 ns

  • 操作温度

    -40°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    1996

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    2 (1 Year)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 最大功率耗散

    625mW

  • 电压 - 供电

    10V~20V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    260

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    15V

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 基本部件号

    IR2102SPBF

  • 输出的数量

    2

  • 输出电压

    620V

  • 最大输出电流

    360mA

  • 电源

    15V

  • 电源电流

    150μA

  • 功率耗散

    625mW

  • 输出电流

    210mA

  • 最大电源电流

    270μA

  • 传播延迟

    220 ns

  • 输入类型

    Inverting

  • 接通延迟时间

    160 ns

  • 上升时间

    100ns

  • 下降时间（典型值）

    50 ns

  • 上升/下降时间(Typ)

    100ns 50ns

  • 信道型

    Independent

  • 输出峰值电流限制-名

    0.36A

  • 闸门类型

    IGBT, N-Channel MOSFET

  • 峰值输出电流（源极，漏极）

    210mA 360mA

  • 最大结点温度（Tj）

    150°C

  • 高边驱动器

    YES

  • 高压侧电压-最大值(自举)

    600V

  • 环境温度范围高

    125°C

  • 高度

    1.75mm

  • 长度

    4.9784mm

  • 宽度

    3.9878mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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公司资质

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DUNS
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