Infineon Technologies IRF1503SPBF

工厂交货时间

14 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

200W Tc

Turn Off Delay Time

59 ns

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2010

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

电阻

3.3MOhm

电压 - 额定直流

30V

额定电流

75A

元素配置

Single

功率耗散

200W

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.3m Ω @ 140A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5730pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

200nC @ 10V

上升时间

130ns

Vgs（最大值）

±20V

正向电压

1.3V

下降时间（典型值）

48 ns

连续放电电流(ID)

75A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

栅源电压

4 V

高度

4.826mm

长度

10.668mm

宽度

9.65mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅