Infineon Technologies IRF200B211

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

80W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®, StrongIRFET™

已出版

2013

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

电阻

170mOhm

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

170m Ω @ 7.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.9V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

790pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

23nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

200V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

12A

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅