Infineon Technologies IRF3711STRLPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

供应商器件包装

D2PAK

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

110A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Power Dissipation (Max)

3.1W Ta 120W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

6MOhm

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

20V

额定电流

110A

功率耗散

120W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

6mOhm @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2980pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

44nC @ 4.5V

上升时间

220ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

110A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

20V

输入电容

2.98nF

漏源电阻

8.5mOhm

最大rds

6 mΩ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅