Infineon Technologies IRF5800TRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

引脚数

6

供应商器件包装

Micro6™(TSOP-6)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2W Ta

Turn Off Delay Time

24 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2010

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

2 (1 Year)

终端

SMD/SMT

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

功率耗散

2W

接通延迟时间

11.4 ns

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

85mOhm @ 4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

535pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

-4A

阈值电压

-1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-30V

双电源电压

-30V

输入电容

535pF

漏源电阻

85mOhm

最大rds

85 mΩ

栅源电压

-1 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅