Infineon Technologies IRF6706S2TR1PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric S1

引脚数

5

供应商器件包装

DIRECTFET S1

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

17A Ta 63A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Power Dissipation (Max)

1.8W Ta 26W Tc

Turn Off Delay Time

9.9 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2010

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

6.5MOhm

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

功率耗散

26W

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.8mOhm @ 17A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1810pF @ 13V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 4.5V

上升时间

20ns

漏源电压 (Vdss)

25V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

9.2 ns

连续放电电流(ID)

17A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

25V

输入电容

1.81nF

漏源电阻

6.5mOhm

最大rds

3.8 mΩ

高度

558.8μm

长度

4.826mm

宽度

3.95mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅