Infineon Technologies IRF6723M2DTRPBF

包装/外壳

DirectFET™ Isometric MA

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

15 ns

系列

HEXFET®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

已出版

2009

JESD-609代码

e1

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

最大功率耗散

2.7W

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

IRF6723M2DPBF

JESD-30代码

R-XBCC-N4

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.7W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

14 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.6m Ω @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1380pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14nC @ 4.5V

上升时间

41ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

20 ns

连续放电电流(ID)

15A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

47A

漏极-源极导通最大电阻

0.0066Ohm

漏源击穿电压

30V

雪崩能量等级（Eas）

71 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

长度

6.35mm

高度

596μm

宽度

5.05mm

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无