Infineon Technologies IRF7341TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

32 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2004

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

50mOhm

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE

电压 - 额定直流

55V

最大功率耗散

2W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

4.7A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

IRF7341PBF

行间距

6.3 mm

通道数量

2

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

接通延迟时间

8.3 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

50m Ω @ 4.7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

740pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

36nC @ 10V

上升时间

3.2ns

下降时间（典型值）

13 ns

连续放电电流(ID)

4.7A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5.1A

漏源击穿电压

55V

双电源电压

55V

雪崩能量等级（Eas）

140 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

恢复时间

90 ns

最大结点温度（Tj）

150°C

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

1 V

高度

1.75mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Contains Lead, Lead Free