Infineon Technologies IRF7416GTRPBF

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

供应商器件包装

8-SO

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Turn Off Delay Time

59 ns

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

已出版

2011

系列

HEXFET®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

元素配置

Single

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

18 ns

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

20mOhm @ 5.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1700pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

92nC @ 10V

上升时间

49ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

60 ns

连续放电电流(ID)

10A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-30V

输入电容

1.7nF

漏源电阻

20mOhm

最大rds

20 mΩ

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无