Infineon Technologies IRF7530TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

36 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2004

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

30mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

超低电阻

电压 - 额定直流

20V

最大功率耗散

1.3W

终端形式

鸥翼

额定电流

5.4A

基本部件号

IRF7530PBF

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.3W

接通延迟时间

8.5 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

30m Ω @ 5.4A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1310pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

26nC @ 4.5V

上升时间

11ns

下降时间（典型值）

16 ns

连续放电电流(ID)

5.4A

阈值电压

1.2V

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40A

雪崩能量等级（Eas）

33 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

栅源电压

1.2 V

高度

860μm

长度

3mm

宽度

3mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅