Infineon Technologies IRF9395MTRPBF

工厂交货时间

17 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric MC

引脚数

10

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

76 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2007

JESD-609代码

e3

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

2.1W

端子位置

BOTTOM

JESD-30代码

R-XBCC-N6

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.1W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

19 ns

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7m Ω @ 14A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.4V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3241pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

64nC @ 10V

上升时间

142ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

121 ns

连续放电电流(ID)

14A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

75A

漏极-源极导通最大电阻

0.007Ohm

漏源击穿电压

-30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant