Infineon Technologies IRFB52N15DPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

51A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.8W Ta 230W Tc

Turn Off Delay Time

28 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2002

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

32Ohm

电压 - 额定直流

150V

额定电流

51A

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

320W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

32m Ω @ 36A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2770pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

89nC @ 10V

上升时间

47ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

25 ns

连续放电电流(ID)

60A

阈值电压

5V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

150V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

240A

双电源电压

150V

雪崩能量等级（Eas）

470 mJ

恢复时间

210 ns

栅源电压

5 V

高度

16.51mm

长度

10.66mm

宽度

4.82mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅