Infineon Technologies IRFH4251DTRPBF

工厂交货时间

14 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

64A 188A

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

FASTIRFET™

已出版

2013

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

63W

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

功率 - 最大

31W 63W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual), Schottky

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.2m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.1V @ 35μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1314pF @ 13V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

25V

连续放电电流(ID)

188A

阈值电压

1.6V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

45A

漏极-源极导通最大电阻

0.0046Ohm

雪崩能量等级（Eas）

61 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

900μm

长度

6mm

宽度

5mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅