Infineon Technologies IRFH7110TRPBF

工厂交货时间

15 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TQFN Exposed Pad

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A Ta 58A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.6W Ta 104W Tc

Turn Off Delay Time

22 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2013

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

JESD-30代码

R-PDSO-F5

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.6W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

13.5m Ω @ 35A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3240pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

87nC @ 10V

上升时间

23ns

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

18 ns

连续放电电流(ID)

11A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

50A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

240A

栅源电压

3 V

高度

1.17mm

长度

5.85mm

宽度

5mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant