Infineon Technologies IRFH7921TRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15A Ta 34A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.1W Ta

Turn Off Delay Time

14 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2008

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

8.5MOhm

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.1W

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.5m Ω @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1210pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14nC @ 4.5V

上升时间

7.6ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

4.7 ns

连续放电电流(ID)

15mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

34A

漏源击穿电压

30V

双电源电压

30V

栅源电压

1.8 V

高度

1.1684mm

长度

5.2324mm

宽度

6.2484mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅