Infineon Technologies IRFSL38N20DPBF

工厂交货时间

14 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

43A Tc

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

29 ns

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

300W

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.8W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

54m Ω @ 26A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2900pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

91nC @ 10V

上升时间

95ns

漏源电压 (Vdss)

200V

下降时间（典型值）

47 ns

连续放电电流(ID)

44A

阈值电压

5V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.054Ohm

DS 击穿电压-最小值

200V

雪崩能量等级（Eas）

460 mJ

高度

9.65mm

长度

10.67mm

宽度

4.826mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant