Infineon Technologies IRG4BC30U-S

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

23A

Number of Elements

1

Test Conditions

480V, 12A, 23 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

1998

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

100W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

电压 - 集射极击穿（最大值）

600V

最大耗散功率(Abs)

100W

接通时间

33 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 12A

关断时间-标准值（toff)

320 ns

闸门收费

50nC

集极脉冲电流（Icm）

92A

Td（开/关）@25°C

17ns/78ns

开关能量

160μJ (on), 200μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

最大下降时间 (tf)

150ns

RoHS状态

Non-RoHS Compliant