Infineon Technologies IRG4BH20K-L

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

11A

Number of Elements

1

Test Conditions

960V, 5A, 50 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2017

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

附加功能

ULTRA FAST, LOW CONDUCTION LOSS

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

60W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

最大耗散功率(Abs)

24W

接通时间

51 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

4.3V @ 15V, 5A

关断时间-标准值（toff)

720 ns

闸门收费

28nC

集极脉冲电流（Icm）

22A

Td（开/关）@25°C

23ns/93ns

开关能量

450μJ (on), 440μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

最大下降时间 (tf)

400ns

RoHS状态

Non-RoHS Compliant