Infineon Technologies IRG4PF50WD-201P
- 收藏
- 对比
IRG4PF50WD-201P
1211-IRG4PF50WD-201P
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
立即发货

IGBT 900V 51A 200W TO247AC
1最小包装量--
IRG4PF50WD-201P详情
Infineon Technologies IRG4PF50WD-201P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
供应商器件包装
TO-247AC
Collector-Emitter Breakdown Voltage
900V
Current-Collector (Ic) (Max)
51A
Test Conditions
720V, 28A, 5Ohm, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
200W
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
200W
集电极发射器电压(VCEO)
2.7V
最大集电极电流
51A
反向恢复时间
90 ns
电压 - 集射极击穿(最大值)
900V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.7V @ 15V, 28A
闸门收费
160nC
集极脉冲电流(Icm)
204A
Td(开/关)@25°C
50ns/110ns
开关能量
2.63mJ (on), 1.34mJ (off)
RoHS状态
符合RoHS标准
IRG4PF50WD-201P拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。