Infineon Technologies IRG4RC20F
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IRG4RC20F
1211-IRG4RC20F
晶体管 - IGBT - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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IGBT 600V 22A 66W DPAK
--最小包装量--
IRG4RC20F详情
Infineon Technologies IRG4RC20F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
安装类型
表面贴装
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
22A
Test Conditions
480V, 12A, 50 Ω, 15V
Number of Elements
1
已出版
2001
包装
Tube
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e0
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
FAST
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
245
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
IRG4RC20F
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
功率 - 最大
66W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252AA
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
接通时间
51 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V, 12A
关断时间-标准值(toff)
706 ns
闸门收费
27nC
集极脉冲电流(Icm)
44A
Td(开/关)@25°C
26ns/194ns
开关能量
190μJ (on), 920μJ (off)
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
IRG4RC20F拓展信息
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