Infineon Technologies IRG4RC20FPBF

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

22A

Number of Elements

1

Test Conditions

480V, 12A, 50 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2001

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

IRG4RC20FPBF

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

输入类型

Standard

功率 - 最大

66W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252AA

电压 - 集射极击穿（最大值）

600V

最大耗散功率(Abs)

66W

接通时间

51 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 12A

关断时间-标准值（toff)

706 ns

闸门收费

27nC

集极脉冲电流（Icm）

44A

Td（开/关）@25°C

26ns/194ns

开关能量

190μJ (on), 920μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

最大下降时间 (tf)

340ns

RoHS状态

符合RoHS标准