Infineon Technologies IRG7CH35UEF
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IRG7CH35UEF
1211-IRG7CH35UEF
晶体管 - IGBT - 单个
Die
大陆
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IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
1最小包装量--
IRG7CH35UEF详情
Infineon Technologies IRG7CH35UEF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
Die
供应商器件包装
Die
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2kV
Test Conditions
600V, 20A, 10Ohm, 15V
操作温度
-40°C~175°C TJ
包装
Bulk
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
输入类型
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
1.6V
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.6V @ 15V, 5A
闸门收费
85nC
Td(开/关)@25°C
30ns/160ns
RoHS状态
符合RoHS标准
IRG7CH35UEF拓展信息
Infineon Technologies
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