Infineon Technologies IRG7CH50K10EF

工厂交货时间

16 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

Die

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

35A

Number of Elements

1

Test Conditions

600V, 35A, 10 Ω, 15V

操作温度

-40°C~175°C TJ

包装

Bulk

已出版

2013

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子位置

UPPER

终端形式

无铅

JESD-30代码

S-XUUC-N2

配置

SINGLE

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

120 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.2V @ 15V, 25A

关断时间-标准值（toff)

635 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

170nC

Td（开/关）@25°C

50ns/280ns

栅极-发射极电压-最大值

30V

VCEsat-最大值

2.2 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

7.5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant