Infineon Technologies IRG7PH42UD2PBF

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Number of Elements

1

Test Conditions

600V, 30A, 10 Ω, 15V

已出版

2009

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

镍外哑光锡

最大功率耗散

321W

峰值回流焊温度（摄氏度）

250

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

IRG7PH42

资历状况

不合格

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

321W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.02V

最大集电极电流

60A

JEDEC-95代码

TO-247AC

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.02V @ 15V, 30A

关断时间-标准值（toff)

470 ns

IGBT类型

Trench

闸门收费

234nC

集极脉冲电流（Icm）

90A

Td（开/关）@25°C

-/233ns

开关能量

1.32mJ (off)

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

最大下降时间 (tf)

85ns

RoHS状态

符合RoHS标准