Infineon Technologies IRG8B08N120KDPBF
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IRG8B08N120KDPBF
1211-IRG8B08N120KDPBF
晶体管 - IGBT - 单个
TO-220-3
大陆
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DIODE 1200V 8A TO-220
1最小包装量--
IRG8B08N120KDPBF详情
Infineon Technologies IRG8B08N120KDPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2kV
Test Conditions
600V, 5A, 47 Ω, 15V
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2015
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
89W
Reach合规守则
unknown
输入类型
Standard
功率 - 最大
89W
集电极发射器电压(VCEO)
2V
最大集电极电流
15A
反向恢复时间
50 ns
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2V @ 15V, 5A
闸门收费
45nC
Td(开/关)@25°C
20ns/160ns
开关能量
300μJ (on), 300μJ (off)
RoHS状态
符合RoHS标准
IRG8B08N120KDPBF拓展信息
Infineon Technologies
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