Infineon Technologies IRG8CH184K10F
- 收藏
- 对比
IRG8CH184K10F
1211-IRG8CH184K10F
晶体管 - IGBT - 单个
Die
大陆
立即发货

IGBT CHIP WAFER
1最小包装量--
IRG8CH184K10F详情
Infineon Technologies IRG8CH184K10F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
Die
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
200A
Number of Elements
1
Test Conditions
600V, 200A, 2 Ω, 15V
操作温度
-40°C~175°C TJ
包装
Bulk
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UNSPECIFIED
终端形式
无铅
JESD-30代码
R-XXUC-N
配置
SINGLE
输入类型
Standard
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
接通时间
175 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2V @ 15V, 200A
关断时间-标准值(toff)
1015 ns
闸门收费
1110nC
Td(开/关)@25°C
135ns/640ns
栅极-发射极电压-最大值
30V
VCEsat-最大值
2 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.5V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IRG8CH184K10F拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







哦! 它是空的。