Infineon Technologies IRG8CH42K10F
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IRG8CH42K10F
1211-IRG8CH42K10F
晶体管 - IGBT - 单个
Die
大陆
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IGBT 1200V 40A DIE
1最小包装量--
IRG8CH42K10F详情
Infineon Technologies IRG8CH42K10F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
Die
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2kV
Test Conditions
600V, 40A, 5 Ω, 15V
操作温度
-40°C~175°C TJ
包装
Bulk
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
输入类型
Standard
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
2V
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2V @ 15V, 40A
闸门收费
230nC
Td(开/关)@25°C
40ns/240ns
栅极-发射极电压-最大值
30V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.5V
RoHS状态
符合RoHS标准
IRG8CH42K10F拓展信息
Infineon Technologies
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