Infineon Technologies IRLHM620TR2PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-VQFN Exposed Pad

引脚数

8

供应商器件包装

PQFN (3x3)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

26A Ta 40A Tc

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

57 ns

包装

Cut Tape (CT)

系列

HEXFET®

已出版

2013

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

2.7W

通道数量

1

功率耗散

2.7W

接通延迟时间

7.5 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.5mOhm @ 20A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.1V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3620pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

78nC @ 4.5V

上升时间

25ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

37 ns

连续放电电流(ID)

26A

阈值电压

800mV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

20V

输入电容

3.62nF

恢复时间

62 ns

最大结点温度（Tj）

150°C

漏源电阻

1.8mOhm

最大rds

2.5 mΩ

栅源电压

800 mV

高度

900μm

长度

3.2766mm

宽度

3.3mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准