PTAC210802FCV1XWSA1
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Infineon Technologies PTAC210802FCV1XWSA1

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型号

PTAC210802FCV1XWSA1

utmel 编号

1211-PTAC210802FCV1XWSA1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 射频

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC AMP RF LDMOS

起订量

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PTAC210802FCV1XWSA1
PTAC210802FCV1XWSA1 Infineon Technologies IC AMP RF LDMOS

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PTAC210802FCV1XWSA1详情

Infineon Technologies PTAC210802FCV1XWSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    2

  • 已出版

    2014

  • 零件状态

    Discontinued

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    4

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • JESD-30代码

    R-CDFP-F4

  • 工作电源电压

    28V

  • 配置

    COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 无卤素

    无卤素

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 增益

    17 dB

  • DS 击穿电压-最小值

    65V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最高频段

    S B

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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