Infineon Technologies SGB15N60ATMA1

工厂交货时间

26 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 15A, 21 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

附加功能

低导通损耗

最大功率耗散

139W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

139W

晶体管应用

电源控制

无卤素

无卤素

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

31A

接通时间

54 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 15A

关断时间-标准值（toff)

315 ns

IGBT类型

NPT

闸门收费

76nC

集极脉冲电流（Icm）

62A

Td（开/关）@25°C

32ns/234ns

开关能量

570μJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅