Infineon Technologies SGB15N60HSATMA1
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SGB15N60HSATMA1
1211-SGB15N60HSATMA1
晶体管 - IGBT - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 27A 3-Pin(2 Tab) TO-263
1最小包装量--
SGB15N60HSATMA1详情
Infineon Technologies SGB15N60HSATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Current-Collector (Ic) (Max)
27A
Test Conditions
400V, 15A, 23 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
输入类型
Standard
功率 - 最大
138W
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.15V @ 15V, 15A
IGBT类型
NPT
闸门收费
80nC
集极脉冲电流(Icm)
60A
Td(开/关)@25°C
13ns/209ns
开关能量
530μJ
SGB15N60HSATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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