Infineon Technologies SGB20N60ATMA1
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SGB20N60ATMA1
1211-SGB20N60ATMA1
晶体管 - IGBT - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(2 Tab) TO-263
1最小包装量--
SGB20N60ATMA1详情
Infineon Technologies SGB20N60ATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
40A
Number of Elements
1
Test Conditions
400V, 20A, 16 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
附加功能
低导通损耗
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
30N60
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
功率 - 最大
179W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
接通时间
66 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.4V @ 15V, 20A
关断时间-标准值(toff)
313 ns
IGBT类型
NPT
闸门收费
100nC
集极脉冲电流(Icm)
80A
Td(开/关)@25°C
36ns/225ns
开关能量
440μJ (on), 330μJ (off)
RoHS状态
符合RoHS标准
SGB20N60ATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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