Infineon Technologies SIGC12T60NCX1SA5
- 收藏
- 对比
SIGC12T60NCX1SA5
1211-SIGC12T60NCX1SA5
晶体管 - IGBT - 单个
Die
大陆
立即发货

IGBT 3 CHIP 600V WAFER
1最小包装量--
SIGC12T60NCX1SA5详情
Infineon Technologies SIGC12T60NCX1SA5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
Die
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
10A
Number of Elements
1
Test Conditions
300V, 10A, 27 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
已出版
2016
无铅代码
no
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
2
JESD-30代码
S-XUUC-N2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
输入类型
Standard
晶体管应用
电源控制
无卤素
无卤素
漏源电压 (Vdss)
600V
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大双电源电压
600V
接通时间
29 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.5V @ 15V, 10A
关断时间-标准值(toff)
135 ns
IGBT类型
NPT
集极脉冲电流(Icm)
30A
Td(开/关)@25°C
21ns/110ns
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SIGC12T60NCX1SA5拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。