SIGC158T120R3LEX1SA2
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Infineon Technologies SIGC158T120R3LEX1SA2

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型号

SIGC158T120R3LEX1SA2

utmel 编号

1211-SIGC158T120R3LEX1SA2

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

Die

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT 1200V 150A DIE

起订量

1最小包装量--

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SIGC158T120R3LEX1SA2
SIGC158T120R3LEX1SA2 Infineon Technologies IGBT 1200V 150A DIE

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SIGC158T120R3LEX1SA2详情

Infineon Technologies SIGC158T120R3LEX1SA2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    13 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    Die

  • 表面安装

    YES

  • 包装

    Bulk

  • 已出版

    2014

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -40°C

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 输入类型

    Standard

  • 漏源电压 (Vdss)

    1.2kV

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    1.2kV

  • 最大双电源电压

    1.2kV

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    1200V

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.1V @ 15V, 150A

  • IGBT类型

    沟渠现场停车

  • 集极脉冲电流(Icm)

    450A

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    6.5V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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