Infineon Technologies SIGC25T60SNCX1SA2

工厂交货时间

17 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

Die

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

30A

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 30A, 11 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

已出版

2005

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

UPPER

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-XUUC-N3

资历状况

不合格

元素配置

Single

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

漏源电压 (Vdss)

600V

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大双电源电压

600V

接通时间

78 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 30A

关断时间-标准值（toff)

391 ns

IGBT类型

NPT

集极脉冲电流（Icm）

90A

Td（开/关）@25°C

44ns/324ns

RoHS状态

ROHS3 Compliant