Infineon Technologies SIGC42T60NCX1SA4
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SIGC42T60NCX1SA4
1211-SIGC42T60NCX1SA4
晶体管 - IGBT - 单个
Die
大陆
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IGBT 3 CHIP 600V WAFER
1最小包装量--
SIGC42T60NCX1SA4详情
Infineon Technologies SIGC42T60NCX1SA4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
包装/外壳
Die
安装类型
表面贴装
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
50A
Test Conditions
300V, 50A, 3.3 Ω, 15V
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
端子位置
UPPER
终端形式
无铅
JESD-30代码
S-XUUC-N4
配置
SINGLE
输入类型
Standard
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
接通时间
55 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.5V @ 15V, 50A
关断时间-标准值(toff)
160 ns
IGBT类型
NPT
集极脉冲电流(Icm)
150A
Td(开/关)@25°C
43ns/130ns
RoHS状态
ROHS3 Compliant
SIGC42T60NCX1SA4拓展信息
Infineon Technologies
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