Infineon Technologies SIGC61T60NCX1SA3
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SIGC61T60NCX1SA3
1211-SIGC61T60NCX1SA3
晶体管 - IGBT - 单个
Die
大陆
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IGBT 3 CHIP 600V WAFER
1最小包装量--
SIGC61T60NCX1SA3详情
Infineon Technologies SIGC61T60NCX1SA3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
Die
供应商器件包装
Die
Current-Collector (Ic) (Max)
75A
Test Conditions
300V, 75A, 3Ohm, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
输入类型
Standard
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.5V @ 15V, 75A
IGBT类型
NPT
集极脉冲电流(Icm)
225A
Td(开/关)@25°C
65ns/170ns
RoHS状态
ROHS3 Compliant
SIGC61T60NCX1SA3拓展信息
Infineon Technologies
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