Infineon Technologies SIGC76T65R3EX1SA1
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SIGC76T65R3EX1SA1
1211-SIGC76T65R3EX1SA1
晶体管 - IGBT - 单个
Die
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IGBT CHIP
1最小包装量--
SIGC76T65R3EX1SA1详情
Infineon Technologies SIGC76T65R3EX1SA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
Die
安装类型
表面贴装
Current-Collector (Ic) (Max)
150A
已出版
2016
系列
TrenchStop™
操作温度
-40°C~175°C TJ
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
输入类型
Standard
无卤素
无卤素
漏源电压 (Vdss)
650V
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
650V
最大双电源电压
650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.2V @ 15V, 45A
IGBT类型
沟渠现场停车
集极脉冲电流(Icm)
450A
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.4V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SIGC76T65R3EX1SA1拓展信息
Infineon Technologies
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