Infineon Technologies SIGC81T60NCX1SA3
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SIGC81T60NCX1SA3
1211-SIGC81T60NCX1SA3
晶体管 - IGBT - 单个
Die
大陆
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A Wafer
1最小包装量--
SIGC81T60NCX1SA3详情
Infineon Technologies SIGC81T60NCX1SA3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
Die
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
100A
Number of Elements
1
Test Conditions
300V, 100A, 2.2 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
已出版
2016
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
10
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
10
JESD-30代码
S-XUUC-N10
资历状况
不合格
元素配置
Single
输入类型
Standard
晶体管应用
电源控制
无卤素
无卤素
漏源电压 (Vdss)
600V
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大双电源电压
600V
接通时间
125 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.5V @ 15V, 100A
关断时间-标准值(toff)
235 ns
IGBT类型
NPT
集极脉冲电流(Icm)
300A
Td(开/关)@25°C
95ns/200ns
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SIGC81T60NCX1SA3拓展信息
Infineon Technologies
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