Infineon Technologies SKB06N60HSATMA1
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SKB06N60HSATMA1
1211-SKB06N60HSATMA1
晶体管 - IGBT - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 3-Pin(2 Tab) TO-263
1最小包装量--
SKB06N60HSATMA1详情
Infineon Technologies SKB06N60HSATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Number of Elements
1
Test Conditions
400V, 6A, 50 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
最大功率耗散
68W
终端形式
鸥翼
基本部件号
*KB06N60
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
功率 - 最大
68W
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
12A
反向恢复时间
100 ns
接通时间
23 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.15V @ 15V, 6A
关断时间-标准值(toff)
245 ns
IGBT类型
NPT
闸门收费
33nC
集极脉冲电流(Icm)
24A
Td(开/关)@25°C
11ns/196ns
开关能量
190μJ
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
SKB06N60HSATMA1拓展信息
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