Infineon Technologies SKB15N60HSATMA1
- 收藏
- 对比
SKB15N60HSATMA1
1211-SKB15N60HSATMA1
晶体管 - IGBT - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
大陆
立即发货

Trans IGBT Chip N-CH 600V 27A 3-Pin(2 Tab) TO-263
1最小包装量--
SKB15N60HSATMA1详情
Infineon Technologies SKB15N60HSATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Number of Elements
1
Test Conditions
400V, 15A, 23 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
138W
终端形式
鸥翼
基本部件号
*KB15N60
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
功率 - 最大
138W
晶体管应用
MOTOR CONTROL
无卤素
无卤素
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
27A
反向恢复时间
111 ns
接通时间
27 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.15V @ 15V, 15A
关断时间-标准值(toff)
252 ns
IGBT类型
NPT
闸门收费
80nC
集极脉冲电流(Icm)
60A
Td(开/关)@25°C
13ns/209ns
开关能量
530μJ
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
含铅
SKB15N60HSATMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。