BC859B
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Infineon Technologies AG BC859B

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型号

BC859B

utmel 编号

1211-BC859B

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

100mA, 30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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BC859B
BC859B Infineon Technologies AG 100mA, 30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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BC859B详情

Infineon Technologies AG BC859B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    250 MHz

  • 端子表面处理

    未说明

  • 附加功能

    低噪音

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    PNP

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.3 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.1 A

  • 最小直流增益(hFE)

    220

  • 集电极-发射器电压-最大值

    30 V

  • 饱和电流

    1

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies AG BC859B.

BC859B拓展信息

BFN27E6327HTSA1
BFN27E6327HTSA1

Infineon Technologies

BCV47E6327HTSA1
BCV47E6327HTSA1

Infineon Technologies

BCX41E6327HTSA1
BCX41E6327HTSA1

Infineon Technologies

SMBT2907AE6327HTSA1
SMBT2907AE6327HTSA1

Infineon Technologies

BCX70JE6327HTSA1
BCX70JE6327HTSA1

Infineon Technologies

BC848CE6327HTSA1
BC848CE6327HTSA1

Infineon Technologies

BC817K40E6327HTSA1
BC817K40E6327HTSA1

Infineon Technologies

BC847BWH6327XTSA1
BC847BWH6327XTSA1

Infineon Technologies

BFN26E6327HTSA1
BFN26E6327HTSA1

Infineon Technologies

BCX70KE6327HTSA1
BCX70KE6327HTSA1

Infineon Technologies

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