Infineon Technologies AG BCW61B
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BCW61B
1211-BCW61B
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
1最小包装量--
BCW61B详情
Infineon Technologies AG BCW61B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
材料
Carbon steel
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Part Package Code
SOT-23
Package Description
ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Transition Frequency-Nom (fT)
250 MHz
Gross weight
2.52
Transport packaging size/quantity
28*23*18/10000
Thread
M6
Thread pitch
1.0
Mounting hole
8.75 ±0.08 mm
Installation height
A = 1.38 mm
Inner diameter
C = 8.72 mm
Metal thickness
1.4 mm
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
类型
Press-in nut M6
附加功能
低噪音
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
JEDEC-95代码
TO-236
最大耗散功率(Abs)
0.3 W
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
80
集电极-发射器电压-最大值
32 V
Outer diameter
D = 11.05 ±0.25 mm
饱和电流
1
高度
H = 4.08 ±0.25 mm
BCW61B拓展信息
Infineon Technologies
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