注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

Infineon Technologies AG BSM15GD120D2

Name: BSM15GD120D2
Brand: Infineon Technologies AG
SKU: 1211-BSM15GD120D2
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

BSM15GD120D2

品牌

Infineon Technologies AG

utmel 编号

1211-BSM15GD120D2

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES,

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表

BSM15GD120D2 Infineon Technologies AG Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES,

请发送询价，我们将立即回复。

库存:

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

BSM15GD120D2详情

技术参数

PDF文档

Infineon Technologies AG BSM15GD120D2重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG
Number of Elements

1
Operating Temperature-Max

150 °C
ECCN 代码

EAR99
Reach合规守则

compliant
最大耗散功率(Abs)

145 W
集电极电流-最大值(IC)

25 A
集电极-发射器电压-最大值

1200 V
栅极-发射极电压-最大值

20 V
VCEsat-最大值

3.2 V

0个相似型号

BSM15GD120D2拓展信息

热销零件

相关分类

热门搜索

IKW30N60H3FKSA1

Infineon Technologies

IKW40N65H5FKSA1

Infineon Technologies

SKB02N120ATMA1

Infineon Technologies

IRGP4640DPBF

Infineon Technologies

IHW20N120R5XKSA1

Infineon Technologies

IRG4PH40UPBF

Infineon Technologies

IRGB14C40LPBF

Infineon Technologies

IKW50N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

IKW50N60H3FKSA1

Infineon Technologies

IRG4PC50WPBF

Infineon Technologies

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z