Infineon Technologies AG CPV362MU
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CPV362MU
1211-CPV362MU
晶体管 - IGBT - 单个
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.2A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,
1最小包装量--
CPV362MU详情
Infineon Technologies AG CPV362MU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
13
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T13
Number of Elements
6
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
ECCN 代码
EAR99
附加功能
超快
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
JESD-30代码
R-PSFM-T13
资历状况
不合格
配置
BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极电流-最大值(IC)
7.2 A
集电极-发射器电压-最大值
600 V
CPV362MU拓展信息
Infineon Technologies
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