Infineon Technologies AG IRGS6B60K
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IRGS6B60K
1211-IRGS6B60K
晶体管 - IGBT - 单个
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大陆
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, D2PAK-3
1最小包装量--
IRGS6B60K详情
Infineon Technologies AG IRGS6B60K重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Turn-off Time-Nom (toff)
258 ns
Turn-on Time-Nom (ton)
45 ns
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
镍外哑光锡
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极电流-最大值(IC)
13 A
集电极-发射器电压-最大值
600 V
IRGS6B60K拓展信息
Infineon Technologies
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