IRGSL4B60KD1
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Infineon Technologies AG IRGSL4B60KD1

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型号

IRGSL4B60KD1

utmel 编号

1211-IRGSL4B60KD1

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 11A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262, PLASTIC PACKAGE-3

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IRGSL4B60KD1
IRGSL4B60KD1 Infineon Technologies AG Insulated Gate Bipolar Transistor, 11A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262, PLASTIC PACKAGE-3

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IRGSL4B60KD1详情

Infineon Technologies AG IRGSL4B60KD1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Package Description

    PLASTIC PACKAGE-3

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Number of Elements

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    IN-LINE

  • Turn-off Time-Nom (toff)

    199 ns

  • Turn-on Time-Nom (ton)

    40 ns

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 附加功能

    超快软恢复

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • JESD-30代码

    R-PSIP-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 晶体管应用

    MOTOR CONTROL

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-262

  • 集电极电流-最大值(IC)

    11 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    600 V

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies AG IRGSL4B60KD1.

IRGSL4B60KD1拓展信息

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