Infineon Technologies AG IRGSL4B60KD1
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IRGSL4B60KD1
1211-IRGSL4B60KD1
晶体管 - IGBT - 单个
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 11A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262, PLASTIC PACKAGE-3
1最小包装量--
IRGSL4B60KD1详情
Infineon Technologies AG IRGSL4B60KD1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Package Description
PLASTIC PACKAGE-3
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
IN-LINE
Turn-off Time-Nom (toff)
199 ns
Turn-on Time-Nom (ton)
40 ns
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
附加功能
超快软恢复
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
not_compliant
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-262
集电极电流-最大值(IC)
11 A
集电极-发射器电压-最大值
600 V
IRGSL4B60KD1拓展信息
Infineon Technologies
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