Infineon Technologies AG PTB20046
- 收藏
- 对比
PTB20046
1211-PTB20046
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
--
大陆
立即发货

Description: RF Power Bipolar Transistor, L Band, Silicon, NPN
1最小包装量--
PTB20046详情
Infineon Technologies AG PTB20046重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Package Description
FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-CDFM-F6
资历状况
不合格
箱体转运
EMITTER
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
集电极电流-最大值(IC)
0.7 A
最高频段
L带
PTB20046拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







哦! 它是空的。